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MAX9981 Evaluation Kit
C14
330pF
4:1 (200:50)
TRANSFORMER
TP1
+5V
TP2
GND
5.0V
C13
220pF
5.0V
L1
560nH
L2
560nH
R3
137 ?
R4
137 ?
C16
220pF
3
2
1
T1
6
4
J2
SMA
IFMAIN
C1
5.0V
C5
100pF
C15
330pF
5.0V
C10
100pF
C8
J1
SMA
33pF
RFMAIN
1
27
LO2
15pF
J3
SMA
RFMAIN
C11
0.033 μ F
C2
3.9pF
TAPMAIN
MAINBIAS
2
3
U1
MAX9981
26
25
GND
GND
LO2
R1
267 ?
GND
4
24
GND
GND
5
23
LOSEL
TP3
LOSEL
J6
SMA
C12
0.033 μ F
R2
267 ?
C3
3.9pF
GND
DIVBIAS
TAPDIV
RFDIV
6
7
8
9
22
21
20
19
GND
V CC
GND
LO1
R7
47k ?
5.0V
J4
SMA
RFDIV
C4
33pF
C7
15pF
LO1
5.0V
5.0V
C6
100pF
C9
100pF
C19
330pF
4:1 (200:50)
TRANSFORMER
5.0V
L4
560nH
R6
137 ?
3
T2
6
J5
SMA
IFDIV
2
C17
C20
220pF
L3
560nH
R5 220pF
137 ?
1
4
C18
330pF
Figure 3. MAX9981 EV Kit Schematic
6
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MAX9982ETP+ 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP+D 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP+T 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP+TD 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP-T 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
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